开发人员CTCaer提供了Hekate的新版本，升级到6.1.0,Nyx升级到1.6.0。

修复了当SD卡大于1TB时emuMMC扇区偏移扫描失败的问题。

L4T和ARC的变化:

允许引导分区为exFAT

这将需要更新不同版本L4T的引导堆栈。这对于Lakka和不想格式化的用户来说尤其重要。

为了提高性能和稳定性，Arachne进行了显著的内存优化。

对T210/LPDDR4和T210B01/LPDDR4X的几个时序进行了改进和修正。

T210/LPDDR4在更高频率下的稳定性得到了改善。

这也会显著影响高密度RAM模块，比如8GB配置。

此外，还可以使用ram_oc_opt ac模式对它们进行增强。

修正了在1600兆赫时不允许定时减少的问题。

增加了一个新的参数ram_oc_opt=，以支持T210和T210B01的高级ram遮挡配置。

主要针对T210/LPDDR4用户，因为频率低而其他喜欢优化的(T210B01/LPDDR4X)。

更多信息请参见wiki。

对于T210, ram_oc_vdd2的最大电压限制已经增加到1237mV。T210B01保持在Jedec极限1175mV。

修复了T210上DDR200在RAM频率为0.1时的问题。

Nyx v1.6.0中的更改

增加了对Android 13+动态分区系统的支持，并且旧系统(Android 10-11)的系统分区大小已增加到3gb。

修复了当SD卡大于1TB时emuMMC扇区偏移扫描失败的问题

修复了一些SD卡显示不完整信息的问题(例如ADATA)

改进了引信的信息(修正了主要/次要信息，增加了分析的iddq信息)

Hynix和Micron的第三代RAM模块的型号名称现在可以正确显示。

Hw信息现在将显示每个芯片的RAM信息，而不是单个芯片和2通道。

初始化期间的自动操纵杆校准已经放松，以修复基于HAL效果的操纵杆模型的漂移问题。

此外，这个修复也被纳入USB模式的切换到PC手柄。

增加了内置的6轴校准转储为所有其他开关sku和stick类型的Lite用于L4T。

增加了关于SD卡支持的最大总线速度的信息，并将所有UHS类合并到一个字段中。

增加了一些LCD克隆和新的官方修订的信息。

风扇现在控制得更精细了

BDK的变化

DRAM: Hynix第三代ram已被重新命名为适当的型号名称。

DRAM:增加了关于美光第三代RAM的额外信息。

DRAM:增加了每个芯片MRR的信息。

HWINIT: reordered sdmmc1 power disable

输入:三星触摸屏已更名为TSP。BH2109为生产日期。

SE:增加se_aes_cmac_128、se_aes_crypt_hash、se_aes_iv_updated_clear功能。

ACTMON:切换到平均采样

MINERVA:改变锁相环输入分频器为2200- 2266mhz和一些其他修正

sprintf现在拒绝%c的以null结尾的字符

UTILS:如果基数为16且数字为正数，则允许strtol解析无符号整数